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El área de Innovación, Optoelectrónica y Nuevas Tecnologías ha cerrado con éxito el proyecto de la ESA “Radiation Hardened SiC MOS Structures”.

Durante el proyecto se han realizado ensayos de radiación en distintos tipos de componentes desarrollados a medida en colaboración con el Centro Nacional de Microelectrónica y la Universidad de Valencia con el fin de entender mejor las actuales limitaciones del SiC en aplicaciones de alta tensión.

Ha sido considerado por la ESA como hito inicial para el desarrollo en Europa de Power MOSFETs de carburo de silicio resistentes a la radiación y, algunas de las conclusiones del estudio ya sugieren cambios en el diseño que pueden mejorar el comportamiento de este tipo de dispositivos de potencia

 

Más info: juan.moreno@altertechnology.com